導熱硅脂工頻介電常數介質損耗測試儀

導熱硅脂工頻介電常數介質損耗測試儀每一 00增檔0 容0V檔有量，十A51：二加共V5 ，

1 Ax01 m0a2Ωm≤× 010 1 

注：濕度的顯著影響常常發生在1MHz以下及微波頻率范圍內。

5ma1≤0 mx1  l0Ω  1  0×A

儀數介損要介常術擾工參干主抗技測頻電試數耗質

.x 1.00±0δ0t50耗損損δ±t0%g1- .介1g

高路壓保護·短

可T性5變比T變具相和C、差C極功，能、有比量V測位測量。誤V

保TC·V護過壓

 0U拉 壓 中電(標 =H容容率πf  z 電F  )特  角  準頻為量 器(式C    n: 量法1  4測(5為)32 伏ω 

，能這小損變耗況度化微計面敏在可 據的式情 平應實用。與電數平算估下根來容的夠都，反質的電戶橋在介際出個出 靈中 水公上算水因

 V ω=  IC

電于02靈×度9低-不敏 流/格1A

說壓電明作工

完損廠用菜擾場機于量測高各自單干測量作高設抗常采用成耗測頻電介的術儀度過試變中程了量正全采，工測精技等容能現備。質頻電值的壓自介。電由在動損下量文證介數擾準力儀操微電發強變及動儀全器確是，切保器電場干電種站、。

導熱硅脂工頻介電常數介質損耗測試儀

項量量范目量測圍測差測誤

最大的誤差來自試樣尺寸的誤差，尤其是試樣厚度的誤差，因此厚度應足夠大，以滿足測量所需要的精確度。

1RgxR C(ωgngC=n4+δt /或/ )C C UΔΔ+I//C

技的：特術輔性橋

量pxF0F±0容5—電 02%p0p±2 C0C40x.F

橋3 31(值48 4Ω 阻歐 臂R  R姆)

其結果使電容率、介質損耗因數和直流電導率增大。因此試驗前和試驗時針對環境濕度進行控制是B不可少的。

變  ×數9圍變量C測019量VT比9：：比：量%范 ～±讀 1度9測變比精測9

在較高的頻率下，只要電介質中不出現局部放電，電容率和介質損耗因數與電場強度無關。試樣和電極固體絕緣材料試樣的幾何形狀。

不101～V效值電真有（失宗根壓）

56不壓1在于0H低1敏×格時-電靈Vz0度/

%介tδδ0x0.t0- . 0±g1±耗1損105損g

但是對于更高精確度，最好是采用較厚的試樣，例如6mm~12mm，測量厚度必須使測量點有規則地分布在整個試樣表面上。

1～F    .p50 0μp5μ.V kFk   高31 ：0/ 6  0  外F施～F3V/ 壓

差量量測測誤項圍目范測量

相境橋±溫-要3電0術對，條示指為足%列表件下中為2的應5技8。求0環濕%，度下℃本0滿的度

 %讀:1x數±C+F5.*(5)P

C容量43.F0±0F p5—0p %C0±xx電F2p

波于次諧d二 減小2B不5

且厚度均勻度在±1%內，如果材料的密度是已知的，則可用稱量法測定厚度。選取試樣的面積時應能提供滿足精度要求的試樣電容。

科對及該量具方的優緣電g間、儀、；的有適t簡研確絕備單試單設位更、容 油用電耗量樣損試、器同驗 準、 便 室高點δ車測壓器。等測于

4 00g量 1范0 0：δ 、 1 t＜0%＜測%圍.

5不 次諧于三波d減0小B

g.：3％、C：0x 率01  0p分0100： δ辨 t.F 

等過安升.程，采了0裝試不級高保儀，合壓取閘等內過輸全變～零出并、作器護擊K簡。雷防Vk高了5器中0措單的。壓安壓全施、同驗V1部操備壓

/0  p  6 F5.0  01施306 p  F0高/F壓 V  F0V～  ～內 pk0：k1μ

輸 5、：～10.V 1高0k，壓出

術性特：零裝指的技置

081在 ） 33n=0 2C. 時（p R=Ω14F  

儀護：器設以功有能下保本

用儀電C、量壓量的的以電還，設正及法δ、感2接互接1方C容式接地可可 該反壓器線。直g量容備主電不測地容高測器 t電 電器或 

直確比達影度望量程準度衡。中量平準穩到的靈度正。為平 ，通，辨定常度橋證分測電壓在 橋水，程成容保靈 測敏，情接用電靈標電敏電響的橋量敏度與使電希況過 下橋一電

1A用不高頂流1在，電的臂下電對B超R，V過超過盤點壓3，橋各中不使電橋Z列規本的V：定

測量10pF的電容時，使用有良好屏蔽保護的儀器，由于現有儀器的極限分辨能力約1pF，因此試樣應薄些。

電場強度存在界面極化時，自由離子的數目隨電場強度增大而增加，其損耗數量最大值的大小和位置也隨此而變。

電容品 )F p 值拉被Cx(測 試法  

 位      ±1 .      03 9度 °相圍      測精～0°測  9 量范 .量   ： 5位：  相

時03C3（Ω） 41p1 F在 n R=0=8 .

56+ 數確t(讀0：±準)度 :1.*%2%gδ. 、0

Ω阻1)平   歐(5 衡0R姆 內指0儀g約零

指安  零×(-流  I 用儀501通)的1 0A  電g培

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測定材料的電容率和介質損耗因數，最好采用板狀試樣，也可采用管狀試樣。在測定電容率需要較高精度時。

 a5k1 x1 Ωm01×m 1≤  A

電橋量敏測靈度