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發(fā)布時(shí)間: 2024-08-13
產(chǎn)品型號: GDAT-A
廠(chǎng)商性質(zhì): 生產(chǎn)廠(chǎng)家
所 在 地: 北京市海淀區上地科技園上地十街1號
產(chǎn)品特點(diǎn): 儀器滿(mǎn)足標準GB/T 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(cháng)在內)下電容率和介質(zhì)損耗因數的推薦方法。適用于測定熱塑性、熱固性塑料在1MHz條件下的電容率和介質(zhì)損耗因數。2.高頻電容率和介質(zhì)損耗因數測試系統構成2.1.概述:高頻電容率和介質(zhì)損耗因數測試系統由S916測試裝置(夾具)、GDAT型高頻Q表、數據采集和tanδ自動(dòng)測量控件(裝入GDAT)、及LKI-1型電
介電常數測試儀由高頻阻抗分析儀、測試裝置,標準介質(zhì)樣品組成,能對絕緣材料進(jìn)行 高低頻介電常數(ε)和介質(zhì)損耗角(D或tanδ) 的測試。它符合國標GB/T 1409-2006,美標ASTM D150以及 IEC60250規范要求。 介電常數測試儀工作頻率范圍是20Hz~60MHz,它能完成工作頻率內對絕緣材料的相對介 電常數(ε)和介質(zhì)損耗角 (D或tanδ)變化的測試。 系列中測試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測樣品,配用高頻阻抗分析 儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數和損耗值是通過(guò)被測樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗 值)變化和Cp(電容值)讀數通過(guò)公式計算得到。 1 特點(diǎn): |
◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示,保證了ε和D值精度和重復性。
◎ 介電常數測量范圍可達1~105
2 主要技術(shù)指標:
2.1 ε和D性能:
2.1.1 固體絕緣材料測試頻率20Hz~1MHz的ε和D變化的測試。
2.1.2 ε和D測量范圍:ε:1~105,D:0.1~0.00005,
2.1.3 ε和D測量精度(10kHz):ε:±2% , D:±5%±0.0001。
2.2高頻阻抗分析儀和數字電橋
項目 | 參數 |
工作頻率范圍 | 20Hz~60MHz 數字合成,精度:±0.02% |
電容測量范圍 | 0.00001pF~9.99999F 六位數顯 |
電容測量基本誤差 | ±0.05% |
損耗因素D值范圍 | 0.00001~9.99999 六位數顯 |
儀器滿(mǎn)足標準GB/T 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(cháng)在內)下電容率和介質(zhì)損耗因數的推薦方法。適用于測定熱塑性、熱固性塑料在1MHz條件下的電容率和介質(zhì)損耗因數。
2.高頻電容率和介質(zhì)損耗因數測試系統構成
2.1.概述:高頻電容率和介質(zhì)損耗因數測試系統由S916測試裝置(夾具)、GDAT型高頻Q表、數據采集和tanδ自動(dòng)測量控件(裝入GDAT)、及LKI-1型電感器組成,它依據國標GB/T 1409-2006、美標ASTM D150以及電工委員會(huì )IEC60250的規定設計制作。
2.2.《BH916介質(zhì)損耗裝置》(測試夾具)是測試系統的核心檢測部件,它由一個(gè)LCD數字顯示的微測量裝置和一對經(jīng)精密加工的、間距可調的平板電容器極片組成。平板電容器極片用于夾持被測材料樣品,微測量裝置則顯示被測材料樣品的厚度。通過(guò)被測材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化的量化,測得絕緣材料的損耗角正切值。從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數。BH916介質(zhì)損耗測試裝置是本公司研制的更新?lián)Q代產(chǎn)品,精密的加工設計、精確的LCD數字讀出、一鍵式清零功能,克服了機械刻度讀數誤差和圓筒形電容裝置不可避免的測量誤差。
2.3.基于串聯(lián)諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測試系統的二次儀表,其數碼化主調電容器的創(chuàng )新設計代表了行業(yè)的zui高成就,隨之帶來(lái)了頻率、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有*人機界面,采用LCD液晶屏顯示各測量因子:Q值、電感L、主調電容器C、測試頻率F、諧振趨勢指針等。高頻信源采用直接數字合成,測試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz,頻率精度高達1×10-6。國標GB/T 1409-2006規定了用Q表法來(lái)測定電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(ε),把被測材料作為平板電容的介質(zhì),與輔助電感等構成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測試回路,以獲取zui高的測試靈敏度。因而Q表法的測試結果更真實(shí)地反映了介質(zhì)在高頻工作狀態(tài)下的特征。
GDAT高頻Q表的全數字化界面和微機控制使讀數清晰穩定、操作簡(jiǎn)便。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測Q值甚至tanδ,無(wú)須關(guān)注量程和換算,*摒棄了傳統Q表依賴(lài)面板上印制的輔助表格操作的落后狀況,它無(wú)疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(ε)測量的理想工具。
2.4.數據采集和tanδ自動(dòng)測量控件(裝入GDAT),實(shí)現了數據采集、數據分析和計算的微處理化,tanδ 測量結果的獲得無(wú)須繁瑣的人工處理,可提高數據的精確度和測量的同一性。
2.5.在系統中高品質(zhì)因數(Q)的電感器與平板電容(BH916)構成了基于串聯(lián)諧振的測試回路。本技術(shù)協(xié)議的系統電感器為L(cháng)KI-1電感組共由9個(gè)高性能電感器組成,以適配不同的檢測頻率。
2.6.介質(zhì)損耗測試系統主要性能參數
BH916測試裝置: GDAT高頻Q表:
平板電容極片 Φ50mm 可選頻率范圍20KHz-60MHz
間距可調范圍≥15mm 頻率指示誤差3×10-5±1個(gè)字
夾具插頭間距25mm±0.01mm 主電容調節范圍30-500
測微桿分辨率0.001mm 主調電容誤差<1%或1pF
夾具損耗角正切值≦4×10-4 (1MHz) Q測試范圍2~1023