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發(fā)布時(shí)間： 2024-08-12
產(chǎn)品型號： gdat-c
產(chǎn)品報價(jià)： 
廠(chǎng)商性質(zhì)： 生產(chǎn)廠(chǎng)家
所 在 地： 北京市海淀區上地科技園上地十街1號
產(chǎn)品特點(diǎn)： 介質(zhì)損耗和介電常數是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復合材料等的一項重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數的各種因素，為提高材料的性能提供依據；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。
| 平板電容極片 | Φ50mm/Φ38mm可選 | 頻率范圍 | 20KHz-60MHz/200KHz-160MHz |
| 間距可調范圍 | ≥15mm | 頻率指示誤差 | 3×10-5±1個(gè)字 |
| 夾具插頭間距 | 25mm±0.01mm | 主電容調節范圍 | 30-500/18-220pF |
| 測微桿分辨率 | 0.001mm | 主調電容誤差 | <1%或1pF |
| 夾具損耗角正切值 | ≦4×10-4 （1MHz） | Q測試范圍 | 2～1023 |
| 線(xiàn)圈號 | 測試頻率 | Q值 | 分布電容p | 電感值 |
| 9 | 100KHz | 98 | 9.4 | 25mH |
| 8 | 400KHz | 138 | 11.4 | 4.87mH |
| 7 | 400KHz | 202 | 16 | 0.99mH |
| 6 | 1MHz | 196 | 13 | 252μH |
| 5 | 2MHz | 198 | 8.7 | 49.8μH |
| 4 | 4.5MHz | 231 | 7 | 10μH |
| 3 | 12MHz | 193 | 6.9 | 2.49μH |
| 2 | 12MHz | 229 | 6.4 | 0.508μH |
| 1 | 25MHz 50MHz | 233 211 | 0.9 | 0.125μH |
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